آی جی بی تی
Insulated gate bipolar transistor
ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده یا به اختصار IGBT
IGBT قطعه ای نیمه رسانا است که عملکردی بین ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) و ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) دارد.
ترانزیستور IGBT بهترین بخش های دو ترانزیستور متداول BJT و MOSFET را در ساختار خود دارد. در واقع امپرانس ورودی بزرگ و سرعت سوئیچینگ بالای MOSFET و ولتاژ اشباع پایین BJT با هم ترکیب شده است و نوع دیگری ترانزیستور به نام IGBT ساخته شده است که قابلیت عملکرد در مقادیر بالای جریان کلکتور-امیتر را با ولتاژ گیت تقریباً صفر دارد. IGBT همان گونه که از نامش پیدا است مجهز به فناوری گیت ایزوله شده MOSFET و نیز مشخصه یک ترانزیستور دو قطبی متداول است. IGBT ها به طور گسترده در کاربردهای الکترونیک قدرت مانند: اینورترها، مبدل ها و منابع تغذیه به کار می روند.
از دیدگاه عملکردی IGBT یک FET است که با ترانزیستور دو قطبی ترکیب شده و پیکربندی دارلینگتون را تشکیل داده است. یک IGBT را می توان به سادگی با فعال یا غیرفعال کردن پایه گیت ON یا OFF کرد.
